Fosfura de indiu

Fosfura de indiu Descriere

Fosfura de indiu (InP) este un semiconductor binar compus din indiu și fosfor. Are o structură cristalină cubică („zincblende”) centrată pe față, identică cu cea a GaAs și a majorității semiconductorilor III-V.

InP poate fi preparat din reacția fosforului alb și iodură de indiu la 400 de grade, de asemenea, prin combinarea directă a elementelor purificate la temperatură și presiune ridicată, sau prin descompunerea termică a unui amestec de compus trialchil indiu și fosfină.

InP este utilizat în electronica de mare putere și de înaltă frecvență datorită vitezei superioare a electronilor în raport cu cele mai comune semiconductori de siliciu și arseniura de galiu. Are un bandgap direct, ceea ce îl face util pentru dispozitivele optoelectronice precum diodele laser. InP este, de asemenea, utilizat ca substrat pentru dispozitivele optoelectronice bazate pe arseniura epitaxiala de indi galiu.

Aplicații ale fosfurului de indiu și industrii conexe

● Componente optoelectronice

● Electronice de mare viteză

● Fotovoltaice

● Ceramica

● Energie solară

● Cercetare & Laborator

Identificatori chimici

Proprietățile fosfurei de indiu (teoretice)

Tag-uri populare: fosfură de indiu, China, furnizori, cumpărare, vânzare, fabricat în China